近日，复旦大学bat365官网登录入口万景研究员课题组创新性地发明了一种单晶体管无电容结构的动态随机存取存储器单元（1T-DRAM），命名为IS-DRAM (in-situ sensing DRAM，原位读取动态随机存取存储器)，并通过工业界的22 nm FD-SO（全耗尽绝缘层上硅）工艺制程验证。该存储单元创新性地将电荷存储在FD-SOI的BOX（埋氧层）与衬底界面，并通过界面耦合效应直接由顶部Si层中晶体管的漏极电流（ID）原位读出，无需将存储的电荷导出至单元外部的放大器读取。2024年2月22日，该研究成果以“A Novel 1T-DRAM Fabricated with 22 nm FD-SOI Technology”为题发表于微电子器件领域旗舰期刊 IEEE Electron Device Letters（10.1109/LED.2024.3368522）。
复旦大学bat365官网登录入口博士生谢辉为本文第一作者，复旦大学bat365官网登录入口万景研究员，中国科学院微电子研究所刘凡宇研究员和南京邮电大学徐勇教授为论文的共同通讯作者。该工作得到了国家重点研发计划、上海市科委“探索者”项目、上海市自然科学基金、广州市重点领域研发计划、中科院硅器件与技术重点实验室开放基金等支持。
原文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/10443624
